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突破GaN类HEMT三垦再传新佳绩
发布时间:2015-11-10        浏览次数:69        返回列表
   三垦电气成功地在5英寸硅底板上试制出了作为新一代功率半导体而被业界看好的GaN类HEMT。  
          

    历经60年锤炼,三垦电气在全球电力电子行业的崇高地位已获共识。三垦的产品广泛应用于工业机器、家用电器、IT和汽车等领域上,数以万计的三垦员工正在满怀热情的为全球用户提供周到的服务。1986年,日本三垦电气通过香港力达企业成为第一家进入中国大陆的变频器制造商。

   和过去试制的三垦电气2英寸硅底板相比,由于能够得到6倍的芯片,因此此举意味着朝着低成本化迈进了一步。耐压为630V,导通电阻为10Ωmm。据称导通电阻是过去硅类HEMT理论极限值的1/25。

 

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